报告题目:石墨烯及其异质结的可控制备 报 告 人:谢晓明(中科院上海微系统与信息技术研究所) 报告时间:2015年1月7日(周三)下午16:30 报告地点:物理学院二楼报告厅 报告摘要:石墨烯及其异质结在基础物理和电子学等领域具有重要应用潜力。本报告将介绍上海微系统所团队在晶圆级石墨烯、h-BN单晶畴、h-BN/石墨烯异质结、石墨烯/Bi2212超导异质结方面的系列研究进展:①通过合金催化等手段实现石墨烯在特定位置的控制形核和等温超快速生长,成功制备晶圆级单晶石墨烯薄膜;②通过优化催化合金衬底的成分来调控成核密度,将单层h-BN单晶尺寸由目前报道的~20微米增加至~130微米;③实现h-BN衬底上石墨烯的CVD直接生长,发现独特的表面活化剂,将石墨烯在h-BN介质衬底上的生长速度由每分钟纳米级提高至微米级,晶畴尺寸由亚微米增加至约20微米,且石墨烯和h-BN衬底严格取向;④通过机械转移成功实现超薄Bi2212超导和石墨烯异质结,发现即使对于半个晶胞厚的Bi2212,超导现象仍然存在,且转变温度高于液氮温度。 报告人简介:谢晓明博士为中科院上海微系统与信息技术研究所二级研究员,博士生导师,信息功能材料国家重点实验室副主任,超导实验室主任,国家重大专项“晶圆级石墨烯电子材料与器件”项目负责人。1985年毕业于武汉大学物理系,获学士学位,1990年在上海微系统所(原上海冶金研究所)获得博士学位。毕业后一直留上海微系统所工作。1996年晋升为研究员。1993-1995年赴法国巴黎工业物理化学高等学校ESPCI(École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris)从事超导薄膜输运特性研究。1995-2005年从事电子可靠性研究。2005年以后从事超导等量子材料、超导量子器件及其应用研究。在量子材料方向的主要研究内容包括石墨烯、超导体、石墨烯/超导异质结等。发表研究论文约150篇,申请发明专利~80项,其中多项专利已获授权。
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