| 近日，教育部2008年度“教育部人才计划成就奖”入选者名单揭晓，我院物理系陈仙辉教授喜获此殊荣，获得数理化科学奖。 陈仙辉，教授，博导，教育部人才计划特聘教授，国家杰出青年科学基金获得者。2008年，陈仙辉教授及其领导的研究小组在国际上首次获得了临界温度达到43开尔文（-230.15℃）的铁基化合物超导体，其研究论文发表在Nature上，并因此获得了我校2008年度“杰出研究校长奖”。陈仙辉教授主要从事新材料的探索和研究，发现了一系列的新超导体和新材料。此外，从事强关联电子体系的输运特性和磁性质及在磁场下的行为和电磁关联的实验研究。在高温超导体和钴基氧化物的磁场下的输运性质和自旋结构与电荷的相互作用，富勒烯化合物中电荷转移对声子行为的影响，氧同位素置换诱导的金属—绝缘体相变和自旋态转变等方面取得了令国际同行注目的研究成果。在国际顶级刊物Nature，Nature Physics, Nature Materials, Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc.等发表论文170余篇，论文被引用次数达1800余次。 “教育部人才计划成就奖” 由教育部和香港爱国实业家李嘉诚先生及其领导的长江基建（集团）有限公司共同筹资设立，“教育部人才计划成就奖”是每年奖励一次，每次奖励1-5名学者，主要甄选范围是在中国大陆（2005年范围扩大到了港澳地区）的高等学校或中国科学院所属研究机构任职的华人学者。
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